原子吸收分光光度計的干擾及消除方法
(1)物理干擾物理干擾是指試樣在轉移、蒸發(fā)過(guò)程中任何物理因素變化而引起的干擾效應。屬于這類(lèi)干擾的因素有:試液的粘度、溶劑的蒸汽壓、霧化氣體的壓力等。物理干擾是非選擇性干擾,對試樣各元素的影響基本是相似的。 配制與被測試樣相似的標準樣品,是消除物理干擾的常用的方法。在不知道試樣組成或無(wú)法匹配試樣時(shí),可采用標準加入法或稀釋法來(lái)減小和消除物理干擾。
(2)化學(xué)干擾化學(xué)干擾是指待測元素與其它組分之間的化學(xué)作用所引起的干擾效應,它主要影響待測元素的原子化效率,是原子吸收分光光度法中的主要干擾來(lái)源。它是由于液相或氣相中被測元素的原子與干擾物質(zhì)組成之間形成熱力學(xué)更穩定的化合物,從而影響被測元素化合物的解離及其原子化。 消除化學(xué)干擾的方法有:化學(xué)分離;使用高溫火焰;加入釋放劑和保護劑;使用基體改進(jìn)劑等。
(3)電離干擾在高溫下原子電離,使基態(tài)原子的濃度減少,引起原子吸收信號降低,此種干擾稱(chēng)為電離干擾。電離效應隨溫度升高、電離平衡常數增大而增大,隨被測元素濃度增高而減小。加入更易電離的堿金屬元素,可以有效地消除電離干擾。
(4)光譜干擾光譜干擾包括譜線(xiàn)重疊、光譜通帶內存在非吸收線(xiàn)、原子化池內的直流發(fā)射、分子吸收、光散射等。當采用銳線(xiàn)光源和交流調制技術(shù)時(shí),前3種因素一般可以不予考慮,主要考慮分子吸收和光散射地影響,它們是形成光譜背景的主要因素。
(5)分子吸收干擾分子吸收干擾是指在原子化過(guò)程中生成的氣體分子、氧化物及鹽類(lèi)分子對輻射吸收而引起的干擾。光散射是指在原子化過(guò)程中產(chǎn)生的固體微粒對光產(chǎn)生散射,使被散射的光偏離光路而不為檢測器所檢測,導致吸光度值偏高。
抗干擾:用來(lái)對抗通訊或雷達運行的任何干擾的系統或技術(shù) 。
學(xué)術(shù)定義:(1)抗干擾的定義是:結合電路的特點(diǎn)使干擾減少到最小。(2)所謂抗干擾:是指設備能夠防止經(jīng)過(guò)天線(xiàn)輸入端,設備的外殼以及沿電源線(xiàn)作用于設備的電磁干擾。
措施 抗干擾措施的基本原則是:抑制干擾源,切斷干擾傳播路徑,提高敏感器件的抗干擾性能。1、抑制干擾源 抑制干擾源就是盡可能的減小干擾源的du/dt,di/dt。
這是抗干擾設計中最優(yōu)先考慮和最重要的原則,常常會(huì )起到事半功倍的效果。減小干擾源的du/dt主要是通過(guò)在干擾源兩端并聯(lián)電容來(lái)實(shí)現。
減小干擾源的di/dt則是在干擾源回路串聯(lián)電感或電阻以及增加續流二極管來(lái)實(shí)現。抑制干擾源的常用措施如下:⑴繼電器線(xiàn)圈增加續流二極管,消除斷開(kāi)線(xiàn)圈時(shí)產(chǎn)生的反電動(dòng)勢干擾。
僅加續流二極管會(huì )使繼電器的斷開(kāi)時(shí)間滯后,增加穩壓二極管后繼電器在單位時(shí)間內可動(dòng)作更多的次數。⑵在繼電器接點(diǎn)兩端并接火花抑制電路(一般是RC串聯(lián)電路,電阻一般選幾K到幾十K,電容選0.01uF),減小電火花影響。
⑶給電機加濾波電路,注意電容、電感引線(xiàn)要盡量短。⑷電路板上每個(gè)IC要并接一個(gè)0.01μF~0.1μF高頻電容,以減小IC對電源的影響。
注意高頻電容的布線(xiàn),連線(xiàn)應靠近電源端并盡量粗短,否則,等于增大了電容的等效串聯(lián)電阻,會(huì )影響濾波效果。⑸布線(xiàn)時(shí)避免90度折線(xiàn),減少高頻噪聲發(fā)射。
⑹可控硅兩端并接RC抑制電路,減小可控硅產(chǎn)生的噪聲(這個(gè)噪聲嚴重時(shí)可能會(huì )把可控硅擊穿的)。2、切斷干擾傳播路徑的常用措施 ⑴充分考慮電源對單片機的影響。
電源做得好,整個(gè)電路的抗干擾就解決了一大半。許多單片機對電源噪聲很敏感,要給單片機電源加濾波電路或穩壓器,以減小電源噪聲對單片機的干擾。
比如,可以利用磁珠和電容組成π形濾波電路,當然條件要求不高時(shí)也可用100Ω電阻代替磁珠。⑵如果單片機的I/O口用來(lái)控制電機等噪聲器件,在I/O口與噪聲源之間應加隔離(增加π形濾波電路)。
控制電機等噪聲器件,在I/O口與噪聲源之間應加隔離(增加π形濾波電路)。⑶注意晶振布線(xiàn)。
晶振與單片機引腳盡量靠近,用地線(xiàn)把時(shí)鐘區隔離起來(lái),晶振外殼接地并固定。此措施可解決許多疑難問(wèn)題。
⑷電路板合理分區,如強、弱信號,數字、模擬信號。盡可能把干擾源(如電機,繼電器)與敏感元件(如單片機)遠離。
⑸用地線(xiàn)把數字區與模擬區隔離,數字地與模擬地要分離,最后在一點(diǎn)接于電源地。A/D、D/A芯片布線(xiàn)也以此為原則,廠(chǎng)家分配A/D、D/A芯片引腳排列時(shí)已考慮此要求。
⑹單片機和大功率器件的地線(xiàn)要單獨接地,以減小相互干擾。大功率器件盡可能放在電路板邊緣。
⑺在單片機I/O口,電源線(xiàn),電路板連接線(xiàn)等關(guān)鍵地方使用抗干擾元件如磁珠、磁環(huán)、電源濾波器,屏蔽罩,可顯著(zhù)提高電路的抗干擾性能。⒊提高敏感器件的抗干擾性能 提高敏感器件的抗干擾性能是指從敏感器件這邊考慮盡量減少對干擾噪聲的拾取,以及從不正常狀態(tài)盡快恢復的方法。
提高敏感器件抗干擾性能的常用措施如下:⑴布線(xiàn)時(shí)盡量減少回路環(huán)的面積,以降低感應噪聲。⑵布線(xiàn)時(shí),電源線(xiàn)和地線(xiàn)要盡量粗。
除減小壓降外,更重要的是降低耦合噪聲。⑶對于單片機閑置的I/O口,不要懸空,要接地或接電源。
其它IC的閑置端在不改變系統邏輯的情況下接地或接電源。⑷對單片機使用電源監控及看門(mén)狗電路,如:IMP809,IMP706,IMP813,X25043,X25045等,可大幅度提高整個(gè)電路的抗干擾性能。
⑸在速度能滿(mǎn)足要求的前提下,盡量降低單片機的晶振和選用低速數字電路。⑹IC器件盡量直接焊在電路板上,少用IC座。
4、軟件方面 ⑴我習慣于將不用的代碼空間全清成"0",因為這等效于NOP,可在程序跑飛時(shí)歸位; ⑵在跳轉指令前加幾個(gè)NOP,目的同1; ⑶在無(wú)硬件WatchDog時(shí)可采用軟件模擬WatchDog,以監測程序的運行; ⑷涉及處理外部器件參數調整或設置時(shí),為防止外部器件因受干擾而出錯可定時(shí)將參數重新發(fā)送一遍,這樣可使外部器件盡快恢復正確;⑸通訊中的抗干擾,可加數據校驗位,可采取3取2或5取3策略; ⑹在有通訊線(xiàn)時(shí),如I^2C、三線(xiàn)制等,實(shí)際中我們發(fā)現將Data線(xiàn)、CLK線(xiàn)、INH線(xiàn)常態(tài)置為高,其抗干擾效果要好過(guò)置為低。5、硬件方面 ⑴地線(xiàn)、電源線(xiàn)的布線(xiàn)肯定重要了!⑵線(xiàn)路的去耦; ⑶數、模地的分開(kāi); ⑷每個(gè)數字元件在地與電源之間都要104電容; ⑸在有繼電器的應用場(chǎng)合,尤其是大電流時(shí),防繼電器觸點(diǎn)火花對電路的干擾,可在繼電器線(xiàn)圈間并一104和二極管,在觸點(diǎn)和常開(kāi)端間接472電容,效果不錯!⑹為防I/O口的串擾,可將I/O口隔離,方法有二極管隔離、門(mén)電路隔離、光偶隔離、電磁隔離等; ⑺當然多層板的抗干擾肯定好過(guò)單面板,但成本卻高了幾倍。
⑻選擇一個(gè)抗干擾能力強的器件比之任何方法都有效,我想這點(diǎn)應該最重要。因為器件天生的不足是很難用外部方法去彌補的,但往往抗干擾能力強的就貴些,抗干擾能力差的就便宜,正如臺灣的東東便宜但性能卻大打折扣一樣!主要看各位的應用場(chǎng)合了!實(shí)現辦法 ⒈干擾現象分析 干擾成因:現有的國內衛星廣播電視系統普遍采用的是透明轉發(fā)器和單波束賦形。
DNA/RNA吸收光譜峰在260 nm處,據計算,測定此波長(cháng)下DNA溶液的OD值,當OD260=1時(shí),雙鏈DNA含量約為50 μg/ml ,單鏈DNA與RNA含量為40 μg/ml ,寡核甘酸的含量為33 μg/ml ,據此可用紫外分光光度計測定溶液中DNA或RNA的含量。
由于蛋白質(zhì)的吸收峰在280 nm處,在測定 DNA或RNA含量時(shí),還常計算 OD260/ OD280 之值,如該值為 1.8~2.0時(shí),認為已達到較高的純度,如低于此值,表明其內含雜質(zhì)較多。測量RNA時(shí),DNA的影響無(wú)法校正。
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