cmp研磨材料(拋光的CMP是指什么?)
1.拋光的CMP是指什么?
CMP，即Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機械拋光。
CMP技術(shù)所采用的設備及消耗品包括：拋光機、拋光漿料、拋光墊、后CMP清洗設備、拋光終點(diǎn)檢測及工藝控制設備、廢物處理和檢測設備等。 CMP技術(shù)的概念是1965年由Monsanto首次提出。
該技術(shù)最初是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面，如望遠鏡等。1988年IBM開(kāi)始將CMP技術(shù)運用于4MDRAM 的制造中，而自從1991年IBM將CMP成功應用到64MDRAM 的生產(chǎn)中以后，CMP技術(shù)在世界各地迅速發(fā)展起來(lái)。
區別于傳統的純機械或純化學(xué)的拋光方法，CMP通過(guò)化學(xué)的和機械的綜合作用，從而避免了由單純機械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點(diǎn)。 它利用了磨損中的"軟磨硬"原理，即用較軟的材料來(lái)進(jìn)行拋光以實(shí)現高質(zhì)量的表面拋光。
CMP拋光液是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品，廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光。 。
2.微電子領(lǐng)域的cmp是什么意思?
計算機：Chip multiprocessors，單芯片多處理器，也指多核心
電子：Chemical Mechanical Planarization，化學(xué)機械平坦化
綜合布線(xiàn)：Plenum Cable，天花板隔層電纜
計算機：
CMP是由美國斯坦福大學(xué)提出的，其思想是將大規模并行處理器中的SMP（對稱(chēng)多處理器）集成到同一芯片內，各個(gè)處理器并行執行不同的進(jìn)程。與CMP比較， SMT處理器結構的靈活性比較突出。但是，當半導體工藝進(jìn)入0.18微米以后，線(xiàn)延時(shí)已經(jīng)超過(guò)了門(mén)延遲，要求微處理器的設計通過(guò)劃分許多規模更小、局部性更好的基本單元結構來(lái)進(jìn)行。相比之下，由于CMP結構已經(jīng)被劃分成多個(gè)處理器核來(lái)設計，每個(gè)核都比較簡(jiǎn)單，有利于優(yōu)化設計，因此更有發(fā)展前途。目前，IBM 的Power 4芯片和Sun的 MAJC5200芯片都采用了CMP結構。多核處理器可以在處理器內部共享緩存，提高緩存利用率，同時(shí)簡(jiǎn)化多處理器系統設計的復雜度。
電子
化學(xué)機械平坦化 （英語(yǔ)：Chemical-Mechanical Planarization, CMP），又稱(chēng)化學(xué)機械研磨（Chemical-Mechanical Polishing），是半導體器件制造工藝中的一種技術(shù)，使用化學(xué)腐蝕及機械力對加工過(guò)程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。
3.高速鋼圓鋸片怎么研磨才好用
益德隆高速鋼鋸片廠(chǎng)家教你怎么研磨高速鋼圓鋸片才好用？ （一）首先就是清洗，需要配合正確的清洗液。
（二）進(jìn)行鋼板的平整度的測試與修復。 （三）檢查刀頭，查看是否崩齒、掉齒，磨損的程度與刀頭是否打彎。
然后進(jìn)行刀頭的修復，磨損嚴重的只能更換了。 （四）放入調試好參數的全自動(dòng)研磨機進(jìn)行自動(dòng)修復了。
然而，機器的預先調試就需要注意砂輪的選擇。砂輪的選擇是注意砂輪的力度，進(jìn)刀速度跟時(shí)間。
（五）對鋸片的檢查。然后進(jìn)行包裝，加上包管。
在這里智欣行刀具給大家的建議是，盡量不要選擇手工修磨。 手工修磨，每次的進(jìn)刀量是難以控制，精度不精準，最致命地導致每個(gè)刀頭不再同一圓內，影響產(chǎn)品的切面效果，增加劃痕，有毛刺，影響下一道工序，直接導致企業(yè)生產(chǎn)效率低下。
另外，正因為是手工操作，削磨量很容易過(guò)重，導致原本能修磨10次的鋁合金門(mén)窗鋸片只能磨3-5次，降低鋸片的使用壽命，進(jìn)而使企業(yè)生產(chǎn)成本增加。 高速鋼圓鋸片研磨后的效果分析 圓鋸片研磨后效果分析也是比較關(guān)鍵的一步，根據實(shí)用情況我們可以判斷，研磨后品質(zhì)如何，研磨前后的對比，并是否達到用戶(hù)理想效果，這一步至關(guān)重要。
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