有機光電材料(誰知道有關(guān)有機半導體的知識)

1.誰知道有關(guān)有機半導體的知識

幫你找了幾篇類似綜述一樣的文章，要的話聯(lián)系我吧（點我可見）。

【篇名】 有機半導體研究進展 CAJ原文下載 PDF原文下載

【作者】 袁仁寬. 沈今楷. 孔凡.

【刊名】 固體電子學研究與進展 2003年01期 編輯部Email

《中文核心期刊要目總覽》來源期刊 “中國期刊方陣”入選期刊 ASPT來源刊 CJFD收錄期刊

【機構(gòu)】 南京大學物理系. 南京大學物理系 210093 .

【關(guān)鍵詞】 有機半導體. 有機發(fā)光二極管. 聚合物半導體. 有機晶體. 孤子.

【聚類檢索】 同類文獻 引用文獻 被引用文獻

【摘要】 1977年人們發(fā)現(xiàn)通過摻雜可以使聚乙炔膜的電導率提高 1 2個量級 ，由絕緣體變成導體 ，從此掀起了有機半導體的研究熱潮。其研究工作包括有機高分子材料、有機小分子材料和有機分子晶體材料的電學、光學等性質(zhì)。有機半導體中的載流子除了電子和空穴外 ，還有孤子、極化子等。人們已經(jīng)獲得低溫遷移率高達 1 0 5cm2 /V.s的高質(zhì)量有機半導體晶體 ，在其中觀察到量子霍爾效應 ，并用其制成有機半導體激光器。如今有機半導體彩色顯示屏已進入實用階段。

【光盤號】 INFO0306

【篇名】 有機半導體：無限的可能 CAJ原文下載 PDF原文下載

【刊名】 現(xiàn)代制造 2005年24期 編輯部Email

CJFD收錄期刊

【聚類檢索】 同類文獻 引用文獻 被引用文獻

【摘要】 有機半導體能夠支持一些全新的電子設備，從計算機制衣到可折疊顯示器等，都具有很大的發(fā)展?jié)摿ΑＳ袡C半導體預示著新一代顯示器，標簽和油墨的到來。

【光盤號】 SCTC0512S2

【篇名】 有機半導體復合光導材料與器件的研究與發(fā)展 CAJ原文下載 PDF原文下載

【作者】 張翔宇. 汪茫. 陳紅征. 闕端麟.

【刊名】 自然科學進展 1999年07期 編輯部Email

《中文核心期刊要目總覽》來源期刊 “中國期刊方陣”入選期刊 ASPT來源刊 CJFD收錄期刊

【機構(gòu)】 浙江大學高分子科學與材料研究所硅材料國家重點實驗室. 浙江大學高分子科學與材料研究所硅材料國家重點實驗室 杭州 310027 .

【關(guān)鍵詞】 有機半導體. 有機光導體. 復合材料.

【聚類檢索】 同類文獻 引用文獻 被引用文獻

【摘要】 通過不同結(jié)構(gòu)、不同組成、不同功能的光導材料的復合，可以得到功能的協(xié)同增強、優(yōu)化以及互補效應。采用分子內(nèi)復合和分子間復合的方法，可以制備在可見光和近紅外區(qū)域均有很高光敏性的新型有機光導材料。同時，研制使材料與器件交叉滲透，結(jié)合為一體的單層有機光導體，可大大地降低生產(chǎn)成本。

【光盤號】 SCTA99S5

【篇名】 值得關(guān)注的有機光伏電池材料 CAJ原文下載 PDF原文下載

【作者】 孫景志. 汪茫. 周雪琴. 王植源.

【刊名】 材料導報 2002年02期 編輯部Email

ASPT來源刊 CJFD收錄期刊

【機構(gòu)】 浙江大學材料與化工學院高分子系. 加拿大Carleton大學化學系 浙江大學硅材料國家重點實驗室. 杭州 310027 .

【關(guān)鍵詞】 有機半導體. 光電池. 復合材料. 聚集態(tài)結(jié)構(gòu). 激發(fā)態(tài).

【聚類檢索】 同類文獻 引用文獻 被引用文獻

【摘要】 評述了近十年來有機光電池材料研究的最新進展，強調(diào)了材料復合對設計有機光伏電池的重要性，指出了有機半導體材料的分子聚集態(tài)結(jié)構(gòu)與材料凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)的調(diào)控在改善器件性能上發(fā)揮的決定性作用，揭示了激發(fā)態(tài)過程與激發(fā)態(tài)性質(zhì)的研究在提高光電轉(zhuǎn)換效率上的意義，分析了有機光電池材料的發(fā)展前景。

【光盤號】 SCTB02S1

2.什么是有機發(fā)光材料

高分子有機發(fā)光材料

第二種有機發(fā)光材料為高分子聚合物，也稱為高分子發(fā)光二極管（PLED），由英國劍橋大學的杰里米伯勒德及其同事首先發(fā)現(xiàn)。聚合物大多由小的有機分子以鏈狀方式結(jié)合在一起，以旋涂法形成高分子有機發(fā)光二極管。

旋轉(zhuǎn)涂布工藝采用的原理是：在旋轉(zhuǎn)的圓盤上（通常為每分鐘1200轉(zhuǎn)至1500轉(zhuǎn)）滴上數(shù)滴液體，液體會因為旋轉(zhuǎn)形成的離心力而呈薄膜狀分布。在這種狀態(tài)下，液體凝固后便可在膜體上形成晶體管等組件。膜體的厚度可通過調(diào)節(jié)液體粘度及旋轉(zhuǎn)時間來調(diào)整。旋涂之后，要采取烘干的步驟來除去溶劑。就工藝而言，旋涂法比熱蒸鍍法要經(jīng)濟。與柯達型低分子OLED相比，PLED有功效優(yōu)勢，這是由于在低壓工作環(huán)境下，聚合物層具有良好的導電性能。

最初PLED是由一種稱之為次苯基二價乙烯基（PPV）單層活性聚合物，夾于氧化銦錫和鈣之間形成。銦錫氧化物為載流子注入層，而鈣為電子傳遞層?，F(xiàn)在的PLED又增添了一層聚合物載流子注入層。PPV聚合物產(chǎn)生黃光，具有效率高壽命長的特點。這種PLED應用于計算機顯示器，其壽命可長達10000小時，相當于正常使用10年。其他的聚合物及復合聚合物也在開發(fā)之中，如陶氏化學公司研究開發(fā)了一種聚氟高分子。全彩色PLED也在開發(fā)中，主要是通過改變復合聚合物片段的長度來實現(xiàn)顯示功能，令人遺憾的是，與PPV相比，各種全彩色有機聚合物的壽命不長，而藍光聚合物始終不盡人意。

難關(guān)重重待飛越

盡管熒光OLED和PLED能耗較低，但仍有很大的改進空間。對第一代產(chǎn)品的最大限制因素是電子自旋，這種固有的量子特性決定著粒子對電磁場的反應。電子與空穴結(jié)合時，會產(chǎn)生激子。根據(jù)量子力學的規(guī)律，電子與空穴結(jié)合時，只有四分之一的激子會以光的形式釋放能量，其余的激子則以熱的形式釋放能量。

由美國普林斯頓大學的弗萊斯特及南加州大學的湯普森所領導的研究小組征服了這個難題。他們開發(fā)的OLED含有諸如鉑、銥等重金屬。一般而言，重金屬的外層電子，由于遠離原子核，旋轉(zhuǎn)角動量大。這種電子與其他電子相互作用，理論認為，百分之百的激子都會以光的形式釋放能量。為了與熒光OLED相區(qū)別，把用這種方式制備的OLED稱為磷光OLED。低分子OLED的效率給人留下了十分深刻的印象，除了藍光OLED外，其壽命未產(chǎn)生任何影響。不過，藍色磷光OLED尚未發(fā)現(xiàn)，目前有許多實驗室正在加緊研究，努力改變這種現(xiàn)狀。

第二個難關(guān)是低分子OLED能否以經(jīng)濟的旋涂法來產(chǎn)生各色有機發(fā)光材料。磷光OLED在這方面已經(jīng)有了重大進展。英國牛津大學的安德魯和奧普西斯合成了一種樹叢狀分子（dendrimers），有助于實現(xiàn)這種設想。“den鄄drimers”這個詞來自希臘的“dendros”，意思是樹和枝，樹上的分枝長到一定長度后又分成兩個分枝，如此重復進行，直到長成像球形一樣的樹叢。在樹叢狀分子中，分枝是內(nèi)部連結(jié)的高分子聚合鍵，每一個鍵又會產(chǎn)生新鍵，全部會向一個焦點聚合或向一個核聚合。

在樹叢狀分子上可形成大量鍵端球形突起物，就像毛線球上的絨毛。在合成過程中，可利用這些鍵端去執(zhí)行特殊的化學功能，例如，鍵端可帶電，發(fā)揮樹叢狀分子的高分子電解質(zhì)的功能。另外，在合成過程中，也能控制樹叢狀分子外部尺寸和內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。這有可能創(chuàng)造與外部不同性質(zhì)的內(nèi)腔和信道，并打開樹叢狀分子作為載體或作為受邀分子晶核的大門。

將樹叢狀分子應用于OLED，可以將磷光OLED作為核，形成大分子球，以適當?shù)脑貫榉种Γ@樣OLED分子就能夠溶解，就可以利用類似PLED的制備方式，通過旋轉(zhuǎn)涂布和烘干來制備。樹叢狀分子具有非常良好的發(fā)光效率，目前可達每安培50堪德拉和每瓦40流明。

另外，盡管生產(chǎn)工藝不同，有機發(fā)光材料還是要獲得與陰極射線管和液晶顯示屏相同的畫面質(zhì)量，才能在市場上具有競爭力。為了獲得完美畫質(zhì)，每英寸點數(shù)不應小于100。目前陰極射線管和液晶顯示屏利用光刻技術(shù)都已達到或超過了上述要求。OLED目前主要以蔭罩技術(shù)進行多彩成膜的制備，距高分辨率顯示要求仍有差距，須待突破。噴墨技術(shù)為PLED發(fā)光色層精確定位提供了一個新的解決方案。它主要是將裝有不同顏色高分子發(fā)光材料，依序精確定位于所設計好的位置，其技術(shù)挑戰(zhàn)的關(guān)鍵在于能否精確定位、噴出的滴狀材料的大小是否配合畫面的尺寸、能否控制噴出液滴的一致性等。

3.光電子材料

光電子材料optoelectronic material 在光電子技術(shù)領域應用的，以光子、電子為載體，處理、存儲和傳遞信息的材料。

光電子技術(shù)是結(jié)合光學和電子學技術(shù)而發(fā)展起來的一門新技術(shù)，主要應用于信息領域，也用于能源和國防領域。已使用的光電子材料主要分為光學功能材料、激光材料、發(fā)光材料、光電信息傳輸材料（主要是光導纖維）、光電存儲材料、光電轉(zhuǎn)換材料、光電顯示材料（如電致發(fā)光材料和液晶顯示材料）和光電集成材料。

（一）新型光電子材料及相關(guān)基礎材料、關(guān)鍵設備和特種光電子器件 1、光電子基礎材料、生長源和關(guān)鍵設備 研究目標：突破新型生長源關(guān)鍵制備技術(shù)，掌握相關(guān)的檢測技術(shù)；突破半導體光電子器件的基礎材料制備技術(shù)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 研究內(nèi)容及主要指標： 1） 高純四氯化硅（4N）的純化技術(shù)和規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)（B類，要求企業(yè)負責并有配套投入） 2） 高純（6N）三甲基銦規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)（B類，要求企業(yè)負責并有配套投入） 3） 可協(xié)變（Compliant）襯底關(guān)鍵技術(shù)（A類） 4） 襯底材料制備與加工技術(shù)（B類） 重點研究開發(fā)外延用藍寶石、GaN、SiC等襯底材料的高標拋光產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（Epi-ready級）；大尺寸（>2"）藍寶石襯底材料制備技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)。

藍寶石基GaN器件芯片切割技術(shù)。 5） 用于平板顯示的光電子基礎材料與關(guān)鍵設備技術(shù)（A類） 大面積（對角線>14〃）的定向排列碳納米管或納米棒薄膜生長的關(guān)鍵技術(shù)； 等離子體平板顯示用的新型高效熒光粉的關(guān)鍵技術(shù)。

2、人工晶體和全固態(tài)激光器技術(shù) 研究目標：研究探索新型人工晶體材料與應用技術(shù)，突破人工晶體的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，研制大功率全固態(tài)激光器，解決產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)問題。 研究內(nèi)容及主要指標： 1） 新型深紫外非線性光學晶體材料和全固態(tài)激光器（A類）； 2） 面向光子/聲子應用的人工微結(jié)構(gòu)晶體材料與器件 （A類）； 3） 研究開發(fā)瓦級紅、藍全固態(tài)激光器產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（B類），高損傷閾值光學鍍膜關(guān)鍵技術(shù)（B類），基于全固態(tài)激光器的全色顯示技術(shù)（A類）； 4） 研究開發(fā)大功率半導體激光器陣列光纖耦合模塊產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（B類）； 5) Yb系列激光晶體技術(shù)（A類）。

3、新型半導體材料與光電子器件技術(shù) 研究目標：重點研究自組裝半導體量子點、ZnO晶體和低維量子結(jié)構(gòu)、窄禁帶氮化物等新型半導體材料及光電子器件技術(shù)。 研究內(nèi)容及主要指標： 1） 研究ZnO晶體、低維量子結(jié)構(gòu)材料技術(shù)，研制短波長光電子器件 （A類） 2） 自組裝量子點激光器技術(shù) （A類） 3） Ⅲ-Ⅴ族窄禁帶氮化物材料及器件技術(shù)（A類） 4） 光泵浦外腔式面發(fā)射半導體激光器（A類） 4、光電子材料與器件產(chǎn)業(yè)化質(zhì)量控制技術(shù)（A類） 研究目標：發(fā)展人工晶體與全固態(tài)激光器、GaN基材料及器件表征評價技術(shù)，解決產(chǎn)業(yè)化質(zhì)量控制關(guān)鍵技術(shù)。

研究內(nèi)容：重點研究人工晶體與全固態(tài)激光器、GaN基材料及器件質(zhì)量監(jiān)測新方法與新技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)品測試條件與數(shù)據(jù)標準化研究。 5、光電子材料與器件的微觀結(jié)構(gòu)設計與性能預測研究（A類） 研究目標：提出光電子新材料、新器件的構(gòu)思，為原始創(chuàng)新提供理論概念與設計 研究內(nèi)容：針對光電子技術(shù)的發(fā)展需求，結(jié)合本主題的研制任務，采用建立分析模型、進行計算機模擬，在不同尺度（從原子、分子到納米、介觀及宏觀）范圍內(nèi)，闡明材料性能與微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系，以利性能、結(jié)構(gòu)及工藝的優(yōu)化。

解釋材料制備實驗中的新現(xiàn)象和問題，預測新結(jié)構(gòu)、新性能，預報新效應，以利材料研制的創(chuàng)新。低維量子結(jié)構(gòu)材料新型表征評價技術(shù)和設備。

（二）通信用光電子材料、器件與集成技術(shù) 1、集成光電子芯片和模塊技術(shù) 研究目標：突破并掌握用于光電集成（OEIC）、光子集成（PIC）與微光電機械（MOEMS）方面的材料和芯片的關(guān)鍵工藝技術(shù)，以典型器件的研制帶動研究開發(fā)工藝平臺的建設和完善，探索集成光電子系統(tǒng)設計和工藝制造協(xié)調(diào)發(fā)展的途徑，促進芯片、模塊和組件的產(chǎn)業(yè)化。 研究內(nèi)容及主要指標： 1） 光電集成芯片技術(shù) （1）速率在2.5Gb/s以上的長波長單片集成光發(fā)射機芯片及模塊關(guān)鍵技術(shù)（A類） （2） 高速 Si基單片集成光接收機芯片及模塊關(guān)鍵技術(shù)（A類） 2） 基于平面集成光波導技術(shù)的OADM芯片及模塊關(guān)鍵技術(shù)（A類） 3） 平面光波導器件的自動化耦合封裝關(guān)鍵技術(shù)（B類） 4） 基于微光電機械（MOEMS）芯片技術(shù)的8′8以上陣列光開關(guān)關(guān)鍵技術(shù)（A類） 5） 光電子芯片與集成系統(tǒng)（Integrated System）的無生產(chǎn)線設計技術(shù)研究（A類） 2、通信光電子關(guān)鍵器件技術(shù) 研究目標：針對干線高速通信系統(tǒng)和密集波分復用系統(tǒng)、全光網(wǎng)絡以及光接入網(wǎng)系統(tǒng)的需要，重點進行一批技術(shù)含量高、市場前景廣闊的目標產(chǎn)品和單元技術(shù)的研究開發(fā)，迅速促進相應產(chǎn)品系列的形成和規(guī)?；a(chǎn)，顯著提高我國通信光電子關(guān)鍵器件產(chǎn)業(yè)的綜合競爭能力。

研究內(nèi)容及主要指標： （1） 速率在10Gb/s以上的高速光探測器組件（PIN-TIA） 目標產(chǎn)品和規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)，直接調(diào)制DFB-LD目標產(chǎn)品和規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)，光轉(zhuǎn)發(fā)器（Transponder）目標產(chǎn)品和規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)；（均為B類，要求企業(yè)負責并有配套投入） （2） 40通道、0.8nm間隔。