目前Freescale半導體公司的ITFET(Inverted T Channel-Field Effect Transistor)技術(shù)實(shí)現了在一個(gè)單一晶體管中結合了平面和垂直薄體結構,克服了垂直多柵晶體管所面臨的許多設計和生產(chǎn)上的挑戰,有望開(kāi)創(chuàng )高性能、低功耗、小體積的新一代半導體器件。
通過(guò)結合CMOS的穩定性和垂直CMOS的低漏電流等優(yōu)點(diǎn),該項技術(shù)結束了平面CMOS和垂直CMOS之間的爭論,在單一器件內實(shí)現了兩者的綜合優(yōu)點(diǎn)。 由于在垂直溝道下的平面區混合了硅,并且增加了溝道寬度,ITFET的垂直區和平面區可提供增強的電流能力,可降低寄生電阻,增強垂直溝道的機械穩定性。
同傳統CMOS相比,該技術(shù)可實(shí)現多柵極、有更大的驅動(dòng)電流,可降低漏電流,比其他平面薄體CMOS和垂直多柵CMOS具有更多優(yōu)點(diǎn),如:更低的漏電流、更低的寄生電容、更高的導通電流等。該ITFET技術(shù)計劃應用于基于45nm及以上工藝的高端器件。
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知識產(chǎn)權已經(jīng)在市場(chǎng)經(jīng)濟中特別是具體到商業(yè)競爭中扮演越來(lái)越重要的作用。
也有人說(shuō):“世界未來(lái)的競爭是知識產(chǎn)權的競爭”,這從一定程度上充分說(shuō)明了知識產(chǎn)權的重要性。怎樣形成核心競爭力,怎樣保持競爭優(yōu)勢,在這其中知識產(chǎn)權起到?jīng)Q定性的作用;但前提是必須充分保護所擁有的知識產(chǎn)權諸如商標、專(zhuān)利、著(zhù)作權、集成電路布圖設計權、植物新品種權以及產(chǎn)地標記權、商業(yè)秘密權、商號權等,同時(shí)充分利用與運作,并逐漸構建自身的知識產(chǎn)權戰略運作體系,才能充分發(fā)揮知識產(chǎn)權對企業(yè)發(fā)展與保持競爭優(yōu)勢的巨大推動(dòng)作用。
一、知識產(chǎn)權概述 知識產(chǎn)權是指人們對于自己的智力勞動(dòng)所創(chuàng )造的智力成果以及生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)管理活動(dòng)中的標記、信譽(yù)等依法享有的專(zhuān)有權利。是將無(wú)形的人類(lèi)智力活動(dòng)創(chuàng )造的成果與傳統的產(chǎn)權理論相結合而產(chǎn)生的一種新的財產(chǎn)權,其與普通財產(chǎn)權一樣也具有相應的知識財產(chǎn)標的的轉讓、收益、使用、處分等,只是其權利持有人的這些基本權利的享有和應用與普通財產(chǎn)權有著(zhù)細微上的區別,特別是法律規制方面。
明確產(chǎn)權的好處在于交易的雙方能有一個(gè)合理的預期,對個(gè)人成本有一定的認知與控制,努力彌合與社會(huì )成本的偏離,促進(jìn)市場(chǎng)活力,擴大公平競爭,推進(jìn)技術(shù)轉化和交流,實(shí)現個(gè)體與社會(huì )的共贏(yíng)。 明確知識產(chǎn)權,重視產(chǎn)權的能動(dòng)作用,利用產(chǎn)權界定和制度,使其契合公司的整體發(fā)展與愿景設計及價(jià)值重組,可以進(jìn)一步促進(jìn)資源的使用和整合,從而使市場(chǎng)中的這種制度安排也即某種游戲規則最大限度的服務(wù)公司整體發(fā)展并實(shí)現效益最大化。
因為任何交易均存在一定風(fēng)險,而最大的風(fēng)險莫過(guò)于這種交易的游戲規則不明確甚或不存在,所以充分了解知識產(chǎn)權并注重其法律規制與保護,不但可以有效避免侵權糾紛,充分發(fā)揮市場(chǎng)效力,更可降低交易成本,增進(jìn)交易機會(huì ),擴展知識產(chǎn)權的流通等。 此外,資源的使用與整合特別是知識產(chǎn)權更應該講究效率,而其受制于一定地區、國家的相應制度選擇、安排與維護,而這均需要成本,所以為最切實(shí)的利用與保護相應知識產(chǎn)權并為公司創(chuàng )益,則明晰知識產(chǎn)權就極為重要。
二、知識產(chǎn)權保護 在競爭激烈的市場(chǎng)環(huán)境中,在各種不正當競爭涌現的當下,對于自身的商標、專(zhuān)利、著(zhù)作權作品、商業(yè)秘密、產(chǎn)地標記、廠(chǎng)商名稱(chēng)、商號、集成電路布圖設計、植物新品種等進(jìn)行有效維護與保護就顯得相當重要。必須有一個(gè)適應市場(chǎng)變化并嚴密的知識產(chǎn)權保護體系,同時(shí)注意收集并保存日常經(jīng)營(yíng)管理活動(dòng)中的相關(guān)使用證據、維權記錄等,并在出現侵權糾紛時(shí)選擇最佳的訴訟策略。
此處可參考白家與白象的知識產(chǎn)權紛爭中白家的慘痛教訓。 1、收集并保存使用證據 可以有效證明相關(guān)知識產(chǎn)權的最早使用;便于在侵權糾紛發(fā)生時(shí)及時(shí)、有效、準確地提供具體使用證據,以最大限度維護自身權益;有助于最佳維權策略的選擇等 2、合法、正確使用商標、專(zhuān)利等知識產(chǎn)權標的 只有合法的、正確的使用相關(guān)知識產(chǎn)權標的,才能形成有效的使用證據,才能得到相關(guān)法律的保護與認可,才能最終為自身利益創(chuàng )收。
3、及時(shí)將涉及公司發(fā)展愿景和多元化整合的相關(guān)知識產(chǎn)權標的進(jìn)行登記、申請等法律操作手段 4、將知識產(chǎn)權標的進(jìn)行交叉保護,發(fā)揮法律保護的最大效應 如將典型的著(zhù)作權作品的文字、圖形等申請為相關(guān)產(chǎn)品或服務(wù)的商標,或圖文并茂的商標申請著(zhù)作權登記;以及將其與相應產(chǎn)品相結合而創(chuàng )作外觀(guān)設計并申請為專(zhuān)利;也可將某外觀(guān)設計進(jìn)行商標注冊申請;將著(zhù)作權中的計算機軟件與專(zhuān)利進(jìn)行交叉申請保護等,利用相互間的保護優(yōu)勢并克服彼此的保護漏洞,實(shí)現知識產(chǎn)權保護最大化,以真正維護權利持有人的相應權益,并合理有效的最大限度為其創(chuàng )造經(jīng)濟效益和企業(yè)效益及社會(huì )效益。 三、知識產(chǎn)權創(chuàng )新 創(chuàng )新是公司發(fā)展的源泉,是市場(chǎng)競爭力的核心,而這其中關(guān)于知識產(chǎn)權的創(chuàng )新更是重中之重,特別是對于那些研發(fā)、科技型企業(yè)。
1、著(zhù)作權中的計算機軟件及其有效整合可以進(jìn)一步開(kāi)發(fā)順應時(shí)代、順應市場(chǎng)新變化、順應產(chǎn)品需求等開(kāi)發(fā)并創(chuàng )作,對于進(jìn)入公有領(lǐng)域的相應軟件的技術(shù)點(diǎn)進(jìn)行聯(lián)想并深化,同時(shí)對于其存在的缺陷進(jìn)行功能彌補與開(kāi)發(fā)等都可形成新的計算機軟件或是發(fā)明專(zhuān)利等。 2、產(chǎn)品或服務(wù)商標應隨著(zhù)新的市場(chǎng)需求、產(chǎn)品多元化發(fā)展、產(chǎn)品定位、產(chǎn)品差異及消費者的喜好等設計并使用能表示產(chǎn)品檔次、產(chǎn)品性能的潛在商標、備用商標以及保護性商標。
3、方法或產(chǎn)品發(fā)明、產(chǎn)品的實(shí)用新型與外觀(guān)設計等應形成自有專(zhuān)利為基礎,同時(shí)向與此相關(guān)的技術(shù)方向進(jìn)行研發(fā),力求實(shí)現一定的專(zhuān)利體系,以獲取市場(chǎng)占有率,增強技術(shù)成果轉化的能力,占據一定的競爭地位,以對抗與自身發(fā)展方向和技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域相近的企業(yè)所具有的發(fā)明程度較高的專(zhuān)利產(chǎn)品或專(zhuān)利技術(shù),并可有效實(shí)現因自身研發(fā)不足及在先專(zhuān)利的權利限制等因素制約企業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng )新,通過(guò)專(zhuān)利交叉許可就可有力避免。 四、知識產(chǎn)權使用 知識產(chǎn)權的最大效應就是給權利持有人帶來(lái)可觀(guān)的經(jīng)濟效益,而其實(shí)現就是要通過(guò)一定的合約設計或曰制度安排所形成的交易游戲規則來(lái)進(jìn)行,首先必須保證其流通,只有確保其流通性才能給相關(guān)知識產(chǎn)權交。
這個(gè)行業(yè)前景不錯,據前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《2016-2021年中國集成電路行業(yè)市場(chǎng)需求預測與投資戰略規劃分析報告》顯示, 集成電路產(chǎn)業(yè)作為國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展的戰略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè),具有極強的創(chuàng )新力和融合力,已經(jīng)滲透到人民生活、生產(chǎn)以及國防安全的方方面面。國際金融危機后,世界各國都在努力探尋經(jīng)濟轉型之路,加快培育發(fā)展戰略性新興產(chǎn)業(yè),力爭在后危機時(shí)代的全球經(jīng)濟發(fā)展和競爭中贏(yíng)得先機。擁有強大的集成電路技術(shù)和產(chǎn)業(yè),已成為邁向創(chuàng )新型國家的重要標志。據前瞻產(chǎn)業(yè)研究院統計,2014年全球半導體市場(chǎng)規模達到3331億美元,同比增長(cháng)9%,為近四年增速之最。據ICInsight統計的全球GDP與集成電路產(chǎn)業(yè)的年均增長(cháng)率比較,可以清楚地看到集成電路產(chǎn)業(yè)增長(cháng)緩慢,正逐步接近GDP,表明了全球集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為成熟產(chǎn)業(yè);并且強調成本協(xié)同、強調規模經(jīng)濟的產(chǎn)業(yè)特征,也表明了這一產(chǎn)業(yè)己經(jīng)成為成熟產(chǎn)業(yè)。
兼并重組可能是集成電路產(chǎn)業(yè)最好的切入點(diǎn)
未來(lái)幾年,全球集成電路產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入重大調整變革期,隨著(zhù)投資規模迅速攀升,市場(chǎng)份額加速向優(yōu)勢企業(yè)集中,不少領(lǐng)域將形成2-3家企業(yè)壟斷局面。此外,國際企業(yè)通過(guò)構建合作聯(lián)盟、兼并重組、專(zhuān)利布局等方式強化核心環(huán)節控制力,市場(chǎng)進(jìn)入壁壘進(jìn)一步提高。全球集成電路產(chǎn)業(yè)依然“大者恒大”;產(chǎn)業(yè)技術(shù)革新難度加大,速度開(kāi)始變緩,技術(shù)競爭愈發(fā)激烈;迅速增長(cháng)的中國市場(chǎng)帶動(dòng)著(zhù)全球產(chǎn)業(yè)發(fā)展,“中國效應”引領(lǐng)集成電路產(chǎn)業(yè);在市場(chǎng)競爭的壓力下,商業(yè)模式悄然變化——眾多IDM工廠(chǎng)紛紛轉向“輕晶圓廠(chǎng)”模式或代工模式,搶入全球晶圓代工行列;全球集成電路產(chǎn)業(yè)呈現出從發(fā)達地區向發(fā)展中國家和地區轉移的趨勢。伴隨著(zhù)行業(yè)集中度越來(lái)越高,行業(yè)發(fā)展也逐步結束過(guò)去高增長(cháng)和周期性波動(dòng)的發(fā)展局面,開(kāi)始步入平穩發(fā)展階段,產(chǎn)業(yè)結構調整步伐加速,IC設計業(yè)與晶圓代工業(yè)呈現異軍突起之勢。產(chǎn)業(yè)重心進(jìn)一步向亞洲,特別是向中國大陸轉移。中國大陸將成為全球半導體市場(chǎng)的主要增長(cháng)點(diǎn),而中國集成電路產(chǎn)業(yè)的全球地位快速提升,產(chǎn)業(yè)鏈日漸成熟,為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了良好的機遇。
1958年美國德克薩斯儀器公司發(fā)明全球第一塊集成電路后,隨著(zhù)硅平面技術(shù)的發(fā)展,20世紀60年代先后發(fā)明雙極型和MOS型兩種重要電路,創(chuàng )造了一個(gè)前所未有的具有極強滲透力和旺盛生命力的新興產(chǎn)業(yè)——集成電路產(chǎn)業(yè)。
一、什么是集成電路產(chǎn)業(yè) 1、集成電路 集成電路是采用半導體制作工藝,在一塊較小的單晶硅片上制作許多晶體管及電阻器、電容器等元器件,并按照多層布線(xiàn)或隧道布線(xiàn)的方法將元器件組合成完整的電子電路,通常用“IC”(Integrated Circuit)。 與集成電路相關(guān)的幾個(gè)概念: 晶圓:多指單晶硅圓片,由普通硅沙拉制提煉而成,是最常用的半導體材料,按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規格,近來(lái)發(fā)展出12英寸甚至更大規格。
晶圓越大,同一圓片上可生產(chǎn)的IC就多,可降低成本,但要求材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)更高。 光刻:IC生產(chǎn)的主要工藝手段,指用光技術(shù)在晶圓上刻蝕電路。
前、后工序:IC制造過(guò)程中, 晶圓光刻的工藝(即所謂流片),被稱(chēng)為前工序,這是IC制造的最要害技術(shù);晶圓流片后,其切割、封裝等工序被稱(chēng)為后工序。 線(xiàn)寬:4微米/1微米/0.6微米/0.35微米/90納米等,是指IC生產(chǎn)工藝可達到的最小導線(xiàn)寬度,是IC工藝先進(jìn)水平的主要指標。
線(xiàn)寬越小,集成度就高,在同一面積上就集成更多電路單元。 封裝:指把硅片上的電路管腳,用導線(xiàn)接引到外部接頭處,以便與其它器件連接。
2、集成電路產(chǎn)品分類(lèi) 集成電路產(chǎn)品一般是以?xún)群w管等電子組件的數量即集成度來(lái)分類(lèi),即分成:①小型集成電路(SSI),晶體管數10~100;②中型集成電路(MSI),晶體管數100~1000;③大規模集成電路(LSI),晶體管數1000~10,0000;④超大規模集成電路(VLSI),晶體管數10,0000~。 3、集成電路產(chǎn)業(yè)鏈 一條完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈除了包括設計、芯片制造和封裝測試三個(gè)分支產(chǎn)業(yè)外,還包括集成電路設備制造、關(guān)鍵材料生產(chǎn)等相關(guān)支撐產(chǎn)業(yè)。
如果按照集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游產(chǎn)業(yè)劃分,可簡(jiǎn)單的劃分為集成電路設計業(yè)和制造業(yè),其中制造業(yè)又衍生出代工業(yè)。目前美國仍是集成電路產(chǎn)品設計和創(chuàng )新的發(fā)源地,全球前20家集成電路設計公司大都在美國。
集成電路代工業(yè)主要分布在亞洲,其中我國臺灣地區和韓國是目前世界集成電路代工企業(yè)最重要的聚集地之一。 二、集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現狀與展望 (一)全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況 1、世界集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現狀 美國、日本、韓國和臺灣地區是當今世界集成電路產(chǎn)業(yè)的佼佼者,尤其美、日和歐洲等國家占據產(chǎn)業(yè)鏈的上游,掌握著(zhù)設計、生產(chǎn)、裝備等核心技術(shù)。
隨著(zhù)信息產(chǎn)品市場(chǎng)需求的增長(cháng),尤其通過(guò)通信、計算機與互聯(lián)網(wǎng)、電子商務(wù)、數字視聽(tīng)等電子產(chǎn)品的需求增長(cháng),世界集成電路市場(chǎng)在其帶動(dòng)下高速增長(cháng)。2005年世界集成電路市場(chǎng)規模為2357億美元,預計2010年間平均每年增長(cháng)不低于10%,總規模將達到4247億美元。
多年來(lái),世界集成電路產(chǎn)業(yè)一直以3-4倍于國民經(jīng)濟增長(cháng)速度迅猛發(fā)展,新技術(shù)、新產(chǎn)品不斷涌現。目前,世界集成電路大生產(chǎn)已經(jīng)進(jìn)入納米時(shí)代,全球多條90納米/12英寸的生產(chǎn)線(xiàn)用于規模化生產(chǎn),基于70-65納米水平線(xiàn)寬的生產(chǎn)技術(shù)已基本成形,Intel公司的CPU芯片已經(jīng)采用45納米的生產(chǎn)工藝。
目前,世界最高水平的單片集成電路芯片上所容納的元器件數量已經(jīng)達到80多億個(gè)。 2、集成電路技術(shù)發(fā)展趨勢 (1)集成電路設計。
目前,世界集成電路技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入納米時(shí)代,國際高端集成電路主流技術(shù)的線(xiàn)寬是0.13-0.25微米,國際高端集成電路領(lǐng)先技術(shù)的線(xiàn)寬是0.065-0.13微米。我國已經(jīng)能夠自行設計0.18微米、1000萬(wàn)門(mén)級的集成電路,有的企業(yè)甚至已經(jīng)達到設計0.13微米的技術(shù)水平。
未來(lái)5-10年面向系統級芯片(SOC)的設計方法將成為技術(shù)熱點(diǎn),設計線(xiàn)寬將達到0.045微米,芯片集成度將達到10的8-9次方,電子設計自動(dòng)化(EDA)技術(shù)廣泛應用,IP復用技術(shù)將得到極大完善。 (2)芯片制造。
目前國際高端集成電路晶片直徑是12英寸,近年內16英寸晶片將面世,納米級光刻工藝將廣泛使用,新型器件結構的產(chǎn)生將帶動(dòng)新工藝產(chǎn)生。 (3)封裝。
現有占主流的陣列式封裝方式將讓位給芯片級、晶片級封裝,更先進(jìn)的系統級等封裝方式將進(jìn)入實(shí)用化。芯片實(shí)現表面貼裝,封裝與組裝界限將消失。
(二)國內集成電路產(chǎn)業(yè)主要情況及發(fā)展展望 1、基本情況 自1965年,我國研制出第一塊雙極型集成電路以來(lái),經(jīng)過(guò)40多年的發(fā)展,我國集成電路產(chǎn)業(yè)目前已初步形成了設計業(yè)、芯片制造業(yè)及封裝測試業(yè)三業(yè)并舉、比較協(xié)調的發(fā)展格局,出現長(cháng)江三角洲、京津地區和珠江三角洲三個(gè)相對集中的產(chǎn)業(yè)區,建立了多個(gè)國家集成電路產(chǎn)業(yè)化基地。制造業(yè)的技術(shù)工藝已進(jìn)入國際主流領(lǐng)域,設計和封裝技術(shù)接近國際水平,但我國的整體水平與國際水平相差2-3代。
目前我國已在北京和無(wú)錫分別建成代表國際領(lǐng)先技術(shù)水平的12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn),另外,湖北省和武漢市共同投資的一條12英寸生產(chǎn)線(xiàn)于2006年6月開(kāi)工,中芯國際在上海的12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)擴建項目即將破土動(dòng)工。 2006年中國整個(gè)半導體市場(chǎng)規模突破5800億元,而其中集成電路市場(chǎng)占了絕大部分。
2006年中國集成電路市場(chǎng)。
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