目前Freescale半導體公司的ITFET(Inverted T Channel-Field Effect Transistor)技術實現了在一個單一晶體管中結合了平面和垂直薄體結構,克服了垂直多柵晶體管所面臨的許多設計和生產上的挑戰(zhàn),有望開創(chuàng)高性能、低功耗、小體積的新一代半導體器件。
通過結合CMOS的穩(wěn)定性和垂直CMOS的低漏電流等優(yōu)點,該項技術結束了平面CMOS和垂直CMOS之間的爭論,在單一器件內實現了兩者的綜合優(yōu)點。 由于在垂直溝道下的平面區(qū)混合了硅,并且增加了溝道寬度,ITFET的垂直區(qū)和平面區(qū)可提供增強的電流能力,可降低寄生電阻,增強垂直溝道的機械穩(wěn)定性。
同傳統(tǒng)CMOS相比,該技術可實現多柵極、有更大的驅動電流,可降低漏電流,比其他平面薄體CMOS和垂直多柵CMOS具有更多優(yōu)點,如:更低的漏電流、更低的寄生電容、更高的導通電流等。該ITFET技術計劃應用于基于45nm及以上工藝的高端器件。
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知識產權已經在市場經濟中特別是具體到商業(yè)競爭中扮演越來越重要的作用。
也有人說:“世界未來的競爭是知識產權的競爭”,這從一定程度上充分說明了知識產權的重要性。怎樣形成核心競爭力,怎樣保持競爭優(yōu)勢,在這其中知識產權起到決定性的作用;但前提是必須充分保護所擁有的知識產權諸如商標、專利、著作權、集成電路布圖設計權、植物新品種權以及產地標記權、商業(yè)秘密權、商號權等,同時充分利用與運作,并逐漸構建自身的知識產權戰(zhàn)略運作體系,才能充分發(fā)揮知識產權對企業(yè)發(fā)展與保持競爭優(yōu)勢的巨大推動作用。
一、知識產權概述 知識產權是指人們對于自己的智力勞動所創(chuàng)造的智力成果以及生產經營管理活動中的標記、信譽等依法享有的專有權利。是將無形的人類智力活動創(chuàng)造的成果與傳統(tǒng)的產權理論相結合而產生的一種新的財產權,其與普通財產權一樣也具有相應的知識財產標的的轉讓、收益、使用、處分等,只是其權利持有人的這些基本權利的享有和應用與普通財產權有著細微上的區(qū)別,特別是法律規(guī)制方面。
明確產權的好處在于交易的雙方能有一個合理的預期,對個人成本有一定的認知與控制,努力彌合與社會成本的偏離,促進市場活力,擴大公平競爭,推進技術轉化和交流,實現個體與社會的共贏。 明確知識產權,重視產權的能動作用,利用產權界定和制度,使其契合公司的整體發(fā)展與愿景設計及價值重組,可以進一步促進資源的使用和整合,從而使市場中的這種制度安排也即某種游戲規(guī)則最大限度的服務公司整體發(fā)展并實現效益最大化。
因為任何交易均存在一定風險,而最大的風險莫過于這種交易的游戲規(guī)則不明確甚或不存在,所以充分了解知識產權并注重其法律規(guī)制與保護,不但可以有效避免侵權糾紛,充分發(fā)揮市場效力,更可降低交易成本,增進交易機會,擴展知識產權的流通等。 此外,資源的使用與整合特別是知識產權更應該講究效率,而其受制于一定地區(qū)、國家的相應制度選擇、安排與維護,而這均需要成本,所以為最切實的利用與保護相應知識產權并為公司創(chuàng)益,則明晰知識產權就極為重要。
二、知識產權保護 在競爭激烈的市場環(huán)境中,在各種不正當競爭涌現的當下,對于自身的商標、專利、著作權作品、商業(yè)秘密、產地標記、廠商名稱、商號、集成電路布圖設計、植物新品種等進行有效維護與保護就顯得相當重要。必須有一個適應市場變化并嚴密的知識產權保護體系,同時注意收集并保存日常經營管理活動中的相關使用證據、維權記錄等,并在出現侵權糾紛時選擇最佳的訴訟策略。
此處可參考白家與白象的知識產權紛爭中白家的慘痛教訓。 1、收集并保存使用證據 可以有效證明相關知識產權的最早使用;便于在侵權糾紛發(fā)生時及時、有效、準確地提供具體使用證據,以最大限度維護自身權益;有助于最佳維權策略的選擇等 2、合法、正確使用商標、專利等知識產權標的 只有合法的、正確的使用相關知識產權標的,才能形成有效的使用證據,才能得到相關法律的保護與認可,才能最終為自身利益創(chuàng)收。
3、及時將涉及公司發(fā)展愿景和多元化整合的相關知識產權標的進行登記、申請等法律操作手段 4、將知識產權標的進行交叉保護,發(fā)揮法律保護的最大效應 如將典型的著作權作品的文字、圖形等申請為相關產品或服務的商標,或圖文并茂的商標申請著作權登記;以及將其與相應產品相結合而創(chuàng)作外觀設計并申請為專利;也可將某外觀設計進行商標注冊申請;將著作權中的計算機軟件與專利進行交叉申請保護等,利用相互間的保護優(yōu)勢并克服彼此的保護漏洞,實現知識產權保護最大化,以真正維護權利持有人的相應權益,并合理有效的最大限度為其創(chuàng)造經濟效益和企業(yè)效益及社會效益。 三、知識產權創(chuàng)新 創(chuàng)新是公司發(fā)展的源泉,是市場競爭力的核心,而這其中關于知識產權的創(chuàng)新更是重中之重,特別是對于那些研發(fā)、科技型企業(yè)。
1、著作權中的計算機軟件及其有效整合可以進一步開發(fā)順應時代、順應市場新變化、順應產品需求等開發(fā)并創(chuàng)作,對于進入公有領域的相應軟件的技術點進行聯(lián)想并深化,同時對于其存在的缺陷進行功能彌補與開發(fā)等都可形成新的計算機軟件或是發(fā)明專利等。 2、產品或服務商標應隨著新的市場需求、產品多元化發(fā)展、產品定位、產品差異及消費者的喜好等設計并使用能表示產品檔次、產品性能的潛在商標、備用商標以及保護性商標。
3、方法或產品發(fā)明、產品的實用新型與外觀設計等應形成自有專利為基礎,同時向與此相關的技術方向進行研發(fā),力求實現一定的專利體系,以獲取市場占有率,增強技術成果轉化的能力,占據一定的競爭地位,以對抗與自身發(fā)展方向和技術研發(fā)領域相近的企業(yè)所具有的發(fā)明程度較高的專利產品或專利技術,并可有效實現因自身研發(fā)不足及在先專利的權利限制等因素制約企業(yè)發(fā)展與技術創(chuàng)新,通過專利交叉許可就可有力避免。 四、知識產權使用 知識產權的最大效應就是給權利持有人帶來可觀的經濟效益,而其實現就是要通過一定的合約設計或曰制度安排所形成的交易游戲規(guī)則來進行,首先必須保證其流通,只有確保其流通性才能給相關知識產權交。
這個行業(yè)前景不錯,據前瞻產業(yè)研究院《2016-2021年中國集成電路行業(yè)市場需求預測與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報告》顯示, 集成電路產業(yè)作為國民經濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產業(yè),具有極強的創(chuàng)新力和融合力,已經滲透到人民生活、生產以及國防安全的方方面面。國際金融危機后,世界各國都在努力探尋經濟轉型之路,加快培育發(fā)展戰(zhàn)略性新興產業(yè),力爭在后危機時代的全球經濟發(fā)展和競爭中贏得先機。擁有強大的集成電路技術和產業(yè),已成為邁向創(chuàng)新型國家的重要標志。據前瞻產業(yè)研究院統(tǒng)計,2014年全球半導體市場規(guī)模達到3331億美元,同比增長9%,為近四年增速之最。據ICInsight統(tǒng)計的全球GDP與集成電路產業(yè)的年均增長率比較,可以清楚地看到集成電路產業(yè)增長緩慢,正逐步接近GDP,表明了全球集成電路產業(yè)已經成為成熟產業(yè);并且強調成本協(xié)同、強調規(guī)模經濟的產業(yè)特征,也表明了這一產業(yè)己經成為成熟產業(yè)。
兼并重組可能是集成電路產業(yè)最好的切入點
未來幾年,全球集成電路產業(yè)將進入重大調整變革期,隨著投資規(guī)模迅速攀升,市場份額加速向優(yōu)勢企業(yè)集中,不少領域將形成2-3家企業(yè)壟斷局面。此外,國際企業(yè)通過構建合作聯(lián)盟、兼并重組、專利布局等方式強化核心環(huán)節(jié)控制力,市場進入壁壘進一步提高。全球集成電路產業(yè)依然“大者恒大”;產業(yè)技術革新難度加大,速度開始變緩,技術競爭愈發(fā)激烈;迅速增長的中國市場帶動著全球產業(yè)發(fā)展,“中國效應”引領集成電路產業(yè);在市場競爭的壓力下,商業(yè)模式悄然變化——眾多IDM工廠紛紛轉向“輕晶圓廠”模式或代工模式,搶入全球晶圓代工行列;全球集成電路產業(yè)呈現出從發(fā)達地區(qū)向發(fā)展中國家和地區(qū)轉移的趨勢。伴隨著行業(yè)集中度越來越高,行業(yè)發(fā)展也逐步結束過去高增長和周期性波動的發(fā)展局面,開始步入平穩(wěn)發(fā)展階段,產業(yè)結構調整步伐加速,IC設計業(yè)與晶圓代工業(yè)呈現異軍突起之勢。產業(yè)重心進一步向亞洲,特別是向中國大陸轉移。中國大陸將成為全球半導體市場的主要增長點,而中國集成電路產業(yè)的全球地位快速提升,產業(yè)鏈日漸成熟,為我國集成電路產業(yè)的發(fā)展提供了良好的機遇。
1958年美國德克薩斯儀器公司發(fā)明全球第一塊集成電路后,隨著硅平面技術的發(fā)展,20世紀60年代先后發(fā)明雙極型和MOS型兩種重要電路,創(chuàng)造了一個前所未有的具有極強滲透力和旺盛生命力的新興產業(yè)——集成電路產業(yè)。
一、什么是集成電路產業(yè) 1、集成電路 集成電路是采用半導體制作工藝,在一塊較小的單晶硅片上制作許多晶體管及電阻器、電容器等元器件,并按照多層布線或隧道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路,通常用“IC”(Integrated Circuit)。 與集成電路相關的幾個概念: 晶圓:多指單晶硅圓片,由普通硅沙拉制提煉而成,是最常用的半導體材料,按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格,近來發(fā)展出12英寸甚至更大規(guī)格。
晶圓越大,同一圓片上可生產的IC就多,可降低成本,但要求材料技術和生產技術更高。 光刻:IC生產的主要工藝手段,指用光技術在晶圓上刻蝕電路。
前、后工序:IC制造過程中, 晶圓光刻的工藝(即所謂流片),被稱為前工序,這是IC制造的最要害技術;晶圓流片后,其切割、封裝等工序被稱為后工序。 線寬:4微米/1微米/0.6微米/0.35微米/90納米等,是指IC生產工藝可達到的最小導線寬度,是IC工藝先進水平的主要指標。
線寬越小,集成度就高,在同一面積上就集成更多電路單元。 封裝:指把硅片上的電路管腳,用導線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接。
2、集成電路產品分類 集成電路產品一般是以內含晶體管等電子組件的數量即集成度來分類,即分成:①小型集成電路(SSI),晶體管數10~100;②中型集成電路(MSI),晶體管數100~1000;③大規(guī)模集成電路(LSI),晶體管數1000~10,0000;④超大規(guī)模集成電路(VLSI),晶體管數10,0000~。 3、集成電路產業(yè)鏈 一條完整的集成電路產業(yè)鏈除了包括設計、芯片制造和封裝測試三個分支產業(yè)外,還包括集成電路設備制造、關鍵材料生產等相關支撐產業(yè)。
如果按照集成電路產業(yè)鏈上下游產業(yè)劃分,可簡單的劃分為集成電路設計業(yè)和制造業(yè),其中制造業(yè)又衍生出代工業(yè)。目前美國仍是集成電路產品設計和創(chuàng)新的發(fā)源地,全球前20家集成電路設計公司大都在美國。
集成電路代工業(yè)主要分布在亞洲,其中我國臺灣地區(qū)和韓國是目前世界集成電路代工企業(yè)最重要的聚集地之一。 二、集成電路產業(yè)發(fā)展現狀與展望 (一)全球集成電路產業(yè)發(fā)展情況 1、世界集成電路產業(yè)發(fā)展現狀 美國、日本、韓國和臺灣地區(qū)是當今世界集成電路產業(yè)的佼佼者,尤其美、日和歐洲等國家占據產業(yè)鏈的上游,掌握著設計、生產、裝備等核心技術。
隨著信息產品市場需求的增長,尤其通過通信、計算機與互聯(lián)網、電子商務、數字視聽等電子產品的需求增長,世界集成電路市場在其帶動下高速增長。2005年世界集成電路市場規(guī)模為2357億美元,預計2010年間平均每年增長不低于10%,總規(guī)模將達到4247億美元。
多年來,世界集成電路產業(yè)一直以3-4倍于國民經濟增長速度迅猛發(fā)展,新技術、新產品不斷涌現。目前,世界集成電路大生產已經進入納米時代,全球多條90納米/12英寸的生產線用于規(guī)?;a,基于70-65納米水平線寬的生產技術已基本成形,Intel公司的CPU芯片已經采用45納米的生產工藝。
目前,世界最高水平的單片集成電路芯片上所容納的元器件數量已經達到80多億個。 2、集成電路技術發(fā)展趨勢 (1)集成電路設計。
目前,世界集成電路技術已經進入納米時代,國際高端集成電路主流技術的線寬是0.13-0.25微米,國際高端集成電路領先技術的線寬是0.065-0.13微米。我國已經能夠自行設計0.18微米、1000萬門級的集成電路,有的企業(yè)甚至已經達到設計0.13微米的技術水平。
未來5-10年面向系統(tǒng)級芯片(SOC)的設計方法將成為技術熱點,設計線寬將達到0.045微米,芯片集成度將達到10的8-9次方,電子設計自動化(EDA)技術廣泛應用,IP復用技術將得到極大完善。 (2)芯片制造。
目前國際高端集成電路晶片直徑是12英寸,近年內16英寸晶片將面世,納米級光刻工藝將廣泛使用,新型器件結構的產生將帶動新工藝產生。 (3)封裝。
現有占主流的陣列式封裝方式將讓位給芯片級、晶片級封裝,更先進的系統(tǒng)級等封裝方式將進入實用化。芯片實現表面貼裝,封裝與組裝界限將消失。
(二)國內集成電路產業(yè)主要情況及發(fā)展展望 1、基本情況 自1965年,我國研制出第一塊雙極型集成電路以來,經過40多年的發(fā)展,我國集成電路產業(yè)目前已初步形成了設計業(yè)、芯片制造業(yè)及封裝測試業(yè)三業(yè)并舉、比較協(xié)調的發(fā)展格局,出現長江三角洲、京津地區(qū)和珠江三角洲三個相對集中的產業(yè)區(qū),建立了多個國家集成電路產業(yè)化基地。制造業(yè)的技術工藝已進入國際主流領域,設計和封裝技術接近國際水平,但我國的整體水平與國際水平相差2-3代。
目前我國已在北京和無錫分別建成代表國際領先技術水平的12英寸集成電路生產線,另外,湖北省和武漢市共同投資的一條12英寸生產線于2006年6月開工,中芯國際在上海的12英寸集成電路生產線擴建項目即將破土動工。 2006年中國整個半導體市場規(guī)模突破5800億元,而其中集成電路市場占了絕大部分。
2006年中國集成電路市場。
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