芯片是采用以下工作原理來(lái)存儲程序的:
1. 芯片是一種集成電路,由大量的晶體管構成。不同的芯片有不同的集成規模,大到幾億;小到幾十、幾百個(gè)晶體管。
2. 晶體管有兩種狀態(tài),開(kāi)和關(guān),用 1、0 來(lái)表示。
3. 多個(gè)晶體管產(chǎn)生的多個(gè)1與0的信號,這些信號被設定成特定的功能(即指令和數據),來(lái)表示或處理字母、數字、顏色和圖形等。
4. 芯片加電以后,首先產(chǎn)生一個(gè)啟動(dòng)指令,來(lái)啟動(dòng)芯片,以后就不斷接受新指令和數據,來(lái)完成功能。
芯片儲存信息的原理如下:
對動(dòng)態(tài)存儲器進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí),行地址首先將RAS鎖存于芯片中,然后列地址將CAS鎖存于芯片中,WE有效,寫(xiě)入數據,則寫(xiě)入的數據被存儲于指定的單元中。
對動(dòng)態(tài)存儲器進(jìn)行讀出操作時(shí),CPU首先輸出RAS鎖存信號,獲得數據存儲單元的行地址,然后輸出CAS鎖存信號,獲得數據存儲單元的列地址,保持WE=1,便可將已知行列地址的存儲單元中數據讀取出來(lái)。
擴展資料
主存儲器的兩個(gè)重要技術(shù)指標:
讀寫(xiě)速度:常常用存儲周期來(lái)度量,存儲周期是連續啟動(dòng)兩次獨立的存儲器操作(如讀操作)所必需的時(shí)間間隔。
存儲容量:通常用構成存儲器的字節數或字數來(lái)計量。
地址總線(xiàn)用于選擇主存儲器的一個(gè)存儲單元,若地址總線(xiàn)的位數k,則最大可尋址空間為2k。如k=20,可訪(fǎng)問(wèn)1MB的存儲單元。數據總線(xiàn)用于在計算機各功能部件之間傳送數據。控制總線(xiàn)用于指明總線(xiàn)的工作周期和本次輸入/輸出完成的時(shí)刻。
主存儲器分類(lèi):
按信息保存的長(cháng)短分:ROM與RAM。
按生產(chǎn)工藝分:靜態(tài)存儲器與動(dòng)態(tài)存儲器。
靜態(tài)存儲器(SRAM):讀寫(xiě)速度快,生產(chǎn)成本高,多用于容量較小的高速緩沖存儲器。動(dòng)態(tài)存儲器(DRAM):讀寫(xiě)速度較慢,集成度高,生產(chǎn)成本低,多用于容量較大的主存儲器。
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